¥: 1000.00
单台Z大3500V输出;
单台Z大1000A输出,可并联后Z大4000A;
15us的超快电流上升沿;
同步测量;
国标全指标的自动化测试;
可定制夹具;
nA级电流和uΩ级电阻测量;
技术指标
项目 | 参数 | |
集电极-发射极 | Z大电压. | 3000V |
Z大电流 | 1000A | |
精度 | 0.10% | |
漏电流测试量程 | 1uA~100mA | |
栅极-发射极 | Z大电压. | 300V |
Z大电流 | 1A(直流)/10A(脉冲) | |
精度 | 0.10% | |
Z小电压分辨率 | 30uV | |
Z小电流分辨率 | 10pA |
可测项目
集电极-发射极电压Vces,集电极-发射极击穿电压V(br)ces
集电极-发射极饱和电压Vcesat
集电极电流Ic,集电极截止电流Ices
栅极漏电流Iges,栅极-发射极阈值电压Vge(th)
栅极电阻Rg
电容测量
I-V特性曲线扫描,C-V特性曲线扫描等
功率器件静态测试系统高电压大电流测试认准生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯功率器件分析仪集多种测量和分析功能一体,可精准测量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的静态参数,电压可高达3KV,电流可高达4KA。该系统可测量不同封装类型的功率器件的静态参数,具有高电压和大电流特性,uΩ级电阻,pA级电流精准测量等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容,输出电容、反向传输电容等。功率器件静态参数测试系统采用模块化设计,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。